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Category: IGBTtransistorDescription: EcoSPARKTM 300mJ ， 360V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT6761 -
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Category: IGBTtransistorDescription: ON Semiconductor ISL9V2540S3ST N沟道 IGBT, 15.5 A, Vce=450 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装4858 -
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Category: IGBTtransistorDescription: Trans IGBT Chip N-CH 600V 6.3A 35000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R9862 -
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Category: IGBTtransistorDescription: INFINEON IGB10N60TATMA1 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚1248 -
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Category: IGBTtransistorDescription: EcoSPARK®2 335mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARK®2 335mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT1857 -
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Category: IGBTtransistorDescription: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。5331 -
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Category: IGBTtransistorDescription: IGBT，Fairchild Semiconductor 这些** EcoSPARK2** IGBT 设备经过优化，可用于驱动汽车点火线圈。 它们经过应力测试，符合 AEC-Q101 标准。 逻辑电平栅极驱动 ESD 保护 应用：汽车点火线圈驱动器电路、线圈式火花塞应用。 **RS 产品代码** 807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK 864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2 864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220 864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK 864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220 864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK 864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2 ### 注 所述电流额定值在接点温度 Tc = +110°C 时适用。 ### 标准 AEC-Q101 ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。8574 -
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Category: IGBTtransistorDescription: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。3369 -
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Category: IGBTtransistorDescription: EcoSPARKTM 200mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 200mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT1227 -
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Category: IGBTtransistorDescription: INFINEON IRGR4045DTRPBF 单晶体管, IGBT, N通道, 12 A, 1.7 V, 77 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚 新7859 -
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Category: IGBTtransistorDescription: EcoSPARK®2 300mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARK®2 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT4524 -
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Category: IGBTtransistorDescription: Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R3531 -
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Category: IGBTtransistorDescription: Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R9980 -
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Category: IGBTtransistorDescription: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R7220 -
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Category: IGBTtransistorDescription: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTD1N120BNS9A 单晶体管, IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 引脚1418 -
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Category: IGBTtransistorDescription: Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail1356 -
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Category: IGBTtransistorDescription: IXA40PG1200D Series 1200V 63A 230W Surface Mount IGBT phaseleg7539 -
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Category: IGBTtransistorDescription: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。7969 -
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Category: IGBTtransistorDescription: 点火IGBT 15安培， 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK1322 -
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Category: IGBTtransistorDescription: Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK Rail6357
